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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제14권 제3호
발행연도
2007.1
수록면
65 - 71 (7page)

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칩 스택 패키지에 적용을 위해 폭 75~10㎛, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 도금전류밀도 및 rotating disc electrode(RDE)의 회전속도에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. RDE 속도가 증가함에 따라 트랜치 비아의 Cu filling 특성이 향상되었다. 트랜치 비아의 반폭 길이, 즉 트랜치 비아 폭의 1/2 길이와 이 트랜치 비아에 대해 95% 이상의 Cu filling 비를 얻기 위한 RDE 최소속도 사이에는 Nernst 관계식이 성립하여, 95% 이상의 Cu filling 비를 얻을 수 있는 최소 트랜치 비아의 반폭 길이는 RDE 속도의 제곱근의 역수에 직선적으로 비례하였다.
#chip stack #Cu via #electroplating #rotating disc electrode

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/ 1988 / A review of 3-D packaging technology IEEE Trans. on Comp. Packag. Manufact. Technol.B : 2 ~ 14 google schola / 1995 / 3-D-multichip module google schola / 1995 / Aladdin: Packaging lessons learned : 7 ~ 11 google schola / 1995 / Three-dimensional electronics packaging : 7 ~ 11 google schola / 1995 / Three-dimensional integration technology based on wafer bonding technique using micro-bumps : 1073 ~ 1074 google schola

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