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자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제14권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
63 - 69 (7page)

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Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페 이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비 아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 20mA/cm2와 30mA/cm2의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 200 μm, 깊이 350 μm인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선 라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.
#MEMS #Cu via #electrodeposition #interconnection #current density

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참고문헌 (16)

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/ 1996 / Design and fabrication of a miniature pressure sensor head using direct bonded ultra-thin silicon wafers : 108 ~ 110 google schola / 1999 / Micromachined relay switch which utilizes single crystal silicon electrostatic actuator : 21 ~ 24 google schola / 1999 / Packaging technologies for RFICs : current status and future trends : 7 ~ google schola / 1999 / Silicon-based micromachined packages for high-frequency application 47 : 1563 ~ 1569 google schola / 2001 / MEMS 기술의 개요 및 전망 : 138 ~ 145 google schola

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