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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제11권 제4호
발행연도
2004.1
수록면
29 - 35 (7page)

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암모니아 펄스 플라즈마를 이용하여 WF6가스와 NH3 가스를 교대로 흘려줌으로써 Si 기판위에 질화텅스텐 확산방지막을 증착하였다. WF6가스는 Si과 반응하여 표면침식이 과도히 발생하였으나 암모니아 (NH3)가스를 펄스 플라즈마를 인가하여 WF6 와 같이 사용하면 Si 표면을 질화처리 함으로써 표면침식을 막아주며 질화텅스텐 박막을 쉽게 증착할수 있었다. 그 이유는 암모니아 가스의 분해를 통한 Si기판의 흡착을 용이하게 하여 질화텅스텐 박막 증착이 가능하기 때문이다. 이러한 증착 미케니즘과 암모니아 펄스 플라즈마 효과에 대하여 조사하였다.
#NH pulse plasma #W-N diffusion barrier #pulse plasma enhanced atomic layer deposition #PPALD)

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참고문헌 (11)

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/ 1986 / Tungsten films produced by selective deposition onto silicon wafers 143 : 259 ~ google schola / 1993 / Characteristics of plasma enhanced chemical vapor deposited tungsten nitride thin films 62 (25) : 3312 ~ google schola / 1994 / New method to improve thermal stability in the interface of silicon and tungsten by the interposition of plasma deposited tungsten nitride thin film : 619 ~ google schola / 1994 / Stress relaxation in plasma deposited tungsten nitride/tungsten bilayer 65 (8) : 965 ~ google schola / 1995 / Adsorption and reaction of WF6 on W(100) 324 : 324 ~ google schola

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