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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 383 - 388 (6page)
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개선된 열탄소환원법으로 합성된 금속불순물함량 1 ppm 이하의 고순도 SiC 미립 분말을 이용하여 2,100oC 이상고온의 RF 가열 PVT 장치에서 SiC 단결정을 성장시켰으며, In-situ x-ray 이미지 분석을 통해 성장과정 중 분말의 승화거동및 단결정 성장거동을 관찰하였다. SiC 분말은 단결정 성장의 공급원으로 온도가 높은 외곽 부분부터 소진되고 graphite 잔여물이 남았다. 성장 중 원료의 흐름은 가운데 부분으로 집중되었으며 SiC 단결정의 성장거동에도 영향을 미쳤는데, 이는 미립분말로 인한 도가니 내부 온도분포 차이가 원인으로 예상되었다. 단결정 성장이 완료된 후, 단결정 잉곳을 1 mm 두께의 단결정 기판으로 절단하고 또한, 잉곳에서 얻어진 단결정 기판은 전반적으로 짙은 황색의 4 H -SiC가 관찰되었으며, 외곽에 일부발생한 다결정은 시드결정을 시드홀더에 부착하는 과정에서 혼입된 기포층과 같은 불순물 혼입이 원인으로 사료된다.
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R. Madar / 2002 / Defects in sublimation-grown SiC bulk crystals / J. Phys. : Condens. Matter 14:13009
S. Mahajan / 2013 / Investigation of micropipe and defects in molten KOH etching of 6H n-silicon carbide (SiC) single crystal / Materials Letter 101:72
St.G. Muller / 2012 / Volume production of high quality SiC substrates and epitaxial layers: Defect trends and device applications / J. Crystal Growth 352:39
김규미 / 2009 / β-SiC 분말 Seeds가 Sol-gel 공정으로 합성된 고순도 β-SiC 분말 형상 및 크기에 미치는 영향 / 한국세라믹학회지 46(5):528~533
E.J. Jung / 2012 / Preparation and characterization of high purity β-SiC powder / Key Eng. Mater 512:3
S. Mahajan / 2013 / Investigation of micropipe and defects in molten KOH etching of 6H n-silicon carbide (SiC) single crystal / Materials Letter 101:72
St.G. Muller / 2012 / Volume production of high quality SiC substrates and epitaxial layers: Defect trends and device applications / J. Crystal Growth 352:39
김규미 / 2009 / β-SiC 분말 Seeds가 Sol-gel 공정으로 합성된 고순도 β-SiC 분말 형상 및 크기에 미치는 영향 / 한국세라믹학회지 46(5):528~533
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