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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 265 - 268 (4page)
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대형의 고품질 AlN 단결정은 자외선 LED 및 전력 반도체 소자용으로 중요성이 크다. 그러나, 아직 1인치급의고품질 단결정에 대해서는 보고된 바가 없다. AlN 성장을 위한 PVT 공정에서는 성장 속도 증가를 위하여 성장 결정의 형상을 고찰하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 PVT 공정으로 성장된 AlN 결정의 성장 형태에 대하여 고찰하였다. 광학현미경을 이용하여 결정의 형태와 성장 facet에 대하여 관찰하고, 결정의 성장 습성과 관련하여 고찰하였다.
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참고문헌 (10)
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C.M. Pina / 1998 / Molecular-scale mechanisms of crystal growth in barite / Nature 395 : 483 ~
D.T.J. Hurle / 1994 / Handbook of crystal growth, vol 2a / North-Holland : 338 ~
E.N. Mokhov / 2005 / Sublimation growth of AlN bulk crystals in Ta crucibles / J. of Crystal Growth 281 : 93 ~
H.V. Alexandru / 2003 / Prismatic faces of KDP crystal, kinetic and mechanism of growth from solutions / J. of Crystal Growth 258 : 149 ~
J.S. Koziorowska / 2009 / Structural defects in GaN crystals grown by HVPE on needle-shaped GaN seeds obtained under high N2 pressure / J. of Crystal Growth 311 (5) : 1407 ~
D.T.J. Hurle / 1994 / Handbook of crystal growth, vol 2a / North-Holland : 338 ~
E.N. Mokhov / 2005 / Sublimation growth of AlN bulk crystals in Ta crucibles / J. of Crystal Growth 281 : 93 ~
H.V. Alexandru / 2003 / Prismatic faces of KDP crystal, kinetic and mechanism of growth from solutions / J. of Crystal Growth 258 : 149 ~
J.S. Koziorowska / 2009 / Structural defects in GaN crystals grown by HVPE on needle-shaped GaN seeds obtained under high N2 pressure / J. of Crystal Growth 311 (5) : 1407 ~
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