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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 426 - 431 (6page)
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본 연구에서는 HVPE 방법으로 사파이어 기판위에 성장시킨 알파 갈륨옥사이드의 전처리 효과에 대해 보고한다. 전처리 공정 동안 470℃에서 사파이어 기판에 10 sccm 의 GaCl 가스가 주입된다. 다양한 전처리 시간(3, 5, 10분)에서도 알파 갈륨 옥사이드의 표면은 크랙없이 경면으로 성장되었다. 투과율 측정을 통해 알파 갈륨옥사이드 층의 광학적 특성을 확인 하였으며, 가시광 영역에서 80 % 이상으로 높게 나타났다. 성장된 알파 갈륨옥사이드의 응력변화를 확인하기 위해 XRD 측정을 진행하였고 전처리 5분의 알파 갈륨옥사이드에 피크의 위치가 이론값에 가깝게 나타났다. 이것은 사파이어 기판과 알파 갈륨옥사이드 에피층 사이의 격자상수차이에 의해 발생되는 응력의 감소에 의한 것으로 설명할 수 있다. 이에 따라 나선형 전위밀도는 2.5 × 105 cm-2, 칼날 전위밀도는 8.8 × 109 cm-2 로 계산되었다.
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Adam T. Neal / 2017 / Incomplete Ionization of a 110 meV Unintentional Donor in β-Ga2O3 and its Effect on Power Devices / Scientific Reports 7(1):13218
S. J. Pearton / 2018 / A review of Ga2O3 materials, processing, and devices / Applied Physics Reviews 5(1):011301
S. Zhang / 2018 / J. Semicond 39:8
Hisashi Murakami / 2015 / Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy / Applied Physics Express 8(1):015503
Yuewei Zhang / 2019 / MOCVD grown epitaxial β-Ga2O3 thin film with an electron mobility of 176 cm2/V s at room temperature / APL Materials 7(2):022506
S. J. Pearton / 2018 / A review of Ga2O3 materials, processing, and devices / Applied Physics Reviews 5(1):011301
S. Zhang / 2018 / J. Semicond 39:8
Hisashi Murakami / 2015 / Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy / Applied Physics Express 8(1):015503
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