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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.9
- 수록면
- 357 - 361 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.6.357
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We demonstrated a crack-free ?-Ga2O3 on sapphire substrate by horizontal halide vapor phase epitaxy (HVPE).
Oxygen-and gallium chloride-synthesized Ga metal and HCl were used as the precursors, and N2 was used as the carriergas. The HCl flow and growth temperature were controlled in the ranges of 10~30 sccm and 450~490℃, respectively.
The surface of ?-Ga2O3 template grown at 470℃ was flat and the root-mean-square (RMS) roughness was ~2 nm. Thefull width at half maximum (FWHM) values for the symmetric-plane diffractions, were as small as 50 arcsec and thosefor the asymmetric-plane diffractions were as high as 1,800 arcsec. The crystal quality of ?-Ga2O3 on sapphire can becontrolled by varying the HCl flow rate and growth temperature.
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