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저자정보
제태완 (동의대학교) 박수빈 (동의대학교) 장희연 (동의대학교) 최수민 (동의대학교) 박미선 (동의대학교) 장연숙 (동의대학교) 이원재 (동의대학교) 문윤곤 ((주) 악셀 R & D 센터) 강진기 ((주)악셀) 신윤지 (한국세라믹기술원) 배시영 (한국세라믹기술원)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제33권 제2호
발행연도
2023.4
수록면
83 - 90 (8page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2023.33.2.083

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최근 전력반도체 소재로 관심을 가지는 Ga2O3의 β-상은 열역학적으로 가장 안정한 상을 가지며 4.8~4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8MV/cm의 높은 절연파괴전압을 갖는다. 이러한 우수한 물리적 특성으로 인해 전력반도체 소재로 많은 주목을 받고 있다. β-Ga2O3는 SiC 및 GaN의 소재와는 다르게 액상이 존재하기 때문에 액상 성장법으로 단결정 성장이 가능하다. 하지만 성장한 순수 β-Ga2O3 단결정은 전력 소자에 적용하기에는 낮은 전도성으로 인해 의도적으로 제어된 도핑 기술이 필요하며 도핑 특성에 관한 연구가 매우 중요하다. 이 연구에서는 Ga2O3 분말과 SnO2 분말의 몰 비율을 다르게 첨가하여 Un-doped, Sn 0.05 mol%, Sn 0.1m ol%, Sn 1.5 mol%, Sn 2 mol%, Sn 3 mol%의 혼합분말을 제조하여 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 방법으로 β-Ga2O3 단결정을 성장시켰다. 성장된 β-Ga2O3 단결정의 Sn dopant 함량에 따른 결정 품질 및 광학적, 전기적 특성 변화를 분석하였으며 Sn 도핑에 따른 특성 변화를 광범위하게 연구하였다.
#Gallium oxide #β-Ga2O3 #EFG method #Single crystal growth #Sn #Doping

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