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Ga2O3의 준 안정상인 ε-Ga2O3는 육각형 구조나 준 육각형 구조를 가지는 기판들과 정합성이 우수하여 β-Ga2O3보다 상대적으로 쉽게 낮은 표면 거칠기와 결함 밀도를 갖는 박막을 얻을 수 있다. 이에 ε-Ga2O3를 고온에서 열처리하면 β-Ga2O3로 상전이 되는 특성을 이용하여 표면 거칠기와 결함 밀도가 낮은 고품질 β-Ga2O3 박막의 제조를 시도하였다. 이를 위해서는 고품질 ε-Ga2O3 박막의 성장이 선행되어야 하므로 본 연구에서는 갈륨과 산소의 공급 유량 비율에 따른 Ga2O3 박막의 구조적, 형태적 특성을 분석함으로써 최적의 유량 비율을 조사하였다. 추가로 열처리 조건과 ε-Ga2O3 박막에 혼입된 β-Ga2O3가 상전이 이후 β-Ga2O3의 결정성에 미치는 영향도 함께 조사하였다.
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M. Orita, H. Ohta / 2000 / Deep-ultraviolet transparent conductive β-Ga2O3 thin films / Appl. Phys. Lett 77:4166
M. Higashiwaki / 2014 / Development of gallium oxide power devices / Phys. Stat. Soli. (a) 211:21
R. Roy / 1952 / Polymorphism of Ga2O3 and th e system Ga2O3-H2O / J. Am. Chem. Soc 74:719
D. Gogova / 2015 / Homo- and heteroepitaxial growth of Sn-doped β-Ga2O3 layers by MOVPE / Cryst. Eng. Comm 17:6744
E.G. Víllora / 2004 / Large-size β-Ga2O3 single crystals and wafers / J. Cryst. Growth 270:420
M. Higashiwaki / 2014 / Development of gallium oxide power devices / Phys. Stat. Soli. (a) 211:21
R. Roy / 1952 / Polymorphism of Ga2O3 and th e system Ga2O3-H2O / J. Am. Chem. Soc 74:719
D. Gogova / 2015 / Homo- and heteroepitaxial growth of Sn-doped β-Ga2O3 layers by MOVPE / Cryst. Eng. Comm 17:6744
E.G. Víllora / 2004 / Large-size β-Ga2O3 single crystals and wafers / J. Cryst. Growth 270:420
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