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학술저널
저자정보
김민영 (광운대학교 전자재료공학과) 서현수 (광운대학교 전자재료공학과) 정승우 (광운대학교) 이희재 (광운대학교 전자재료공학과) 변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) 신명철 (광운대학교) Michael A. Schweitz (Kwangwoon University) 구상모 (광운대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제35권 제1호
발행연도
2022.1
수록면
86 - 92 (7page)

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Despite otherwise advantageous properties, the performance and reliability of devices manufactured in ß-Ga2O3 on semi-insulating Ga2O3 substrates may degrade because of poorly mitigated self-heating, which results from the low thermal conductivity of Ga2O3 substrates. In this work, we investigate and compare self-heating and device performance of β-Ga2O3 MESFETs on substrates of semi-insulating Ga2O3 and 4H-SiC. Electron mobility in β-Ga2O3 is negatively affected by increasing lattice temperature, which consequently also negatively influences device conductance. The superior thermal conductivity of 4H-SiC substrates resulted in reduced ß-Ga2O3 lattice temperatures and, thus, mitigates MESFET drain current degradation. This, in turn, allows practically reduced device dimensions without deteriorating the performance and improved device reliability.
#MESFET #β-Ga2O3 #4H-SiC #Self-heating effect

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