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김민기 (서울대학교) 임지용 (서울대학교) 최영환 (서울대학교) 김영실 (서울대학교) 석오균 (서울대학교) 한민구 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2009 대한전기학회 제40회 하계학술대회
발행연도
2009.7
수록면
1,229 - 1,230 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2009

항복전압 향상을 위해 As+ 이온을 주입한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기 ,  임지용 ,  최영환 외 3명 대한전기학회 학술대회 논문집 2009.07 학술대회자료
누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기 ,  임지용 ,  최영환 외 3명 전기전자재료학회논문지 2009.01 학술저널

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SiO₂ 패시베이션 층에 As+ 이온을 주입한 1.2 ㎸급 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드( Schottky Barrier Diode , SBD )를 제작하였다. 주입된 As+ 이온들은 역방향 바이어스에서 공핍 영역의 곡률을 변화 시켰고, 이로 인해 항복 전압이 증가하고 누설 전류가 감소하였다. 제안된 소자의 항복전압이 1204 V 이었고, 기존 소자의 ... 전체 초록 보기

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