압전 및 자발 분극을 고려한 단채널 AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성에 관한 해석적 모델

오영해; 지순구; 서정하

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자료유형: 학술저널

저자정보: 오영해 지순구 서정하

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제12호

발행연도: 2005.12

수록면: 103 - 112 (10page)

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본 논문에서는 압전 및 자발 분극 효과를 내포한 단채널 n-AlGaN/GaN HEMT의 전류-전압 특성을 도출하고자 AlGaN 및 GaN층 내에서 분극을 고려한 2차원 Poisson 방정식의 해법을 제안하였다. AlGaN 및 GaN층에서의 2차원적 전위 변화를 채널전류의 연속조건과 컨시스턴트하게 도출하기 위해서 GaN영역에 형성된 양자 우물을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 영역과 장/단채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 계산 결과로부터 2차원 전위 분포 변화 효과를 고려하기 위한 파라미터 α 의 도입이 타당함을 보이고 있다. 이로써, 본 모델은 기존의 모델에 비해 드레인 전압의 증가에 따른 드레인 포화전류의 증가 및 문턱 전압의 감소 현상 등을 보다 적절히 설명할 수 있음을 보이고 있다.

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[학술지(정기간행물)] - E. A. Lee / 1994. / Digital Communication kap

[학술지(정기간행물)] - U. Mishra et al / 1986. / MBE Grown GaAs MEDFETs with Utra High gm and f

[학술지(정기간행물)] - H. Inomata et al / 1986. / Improved Transconductance of AlGaAs/GaAs Hetrostructure FET with Si-doped channel : 731 ~

[학술지(정기간행물)] - C. W. Tu et al / 1986. / Properties of Selectively Doped Heterostructure Transistors Incorporating a Superlattice Donor Layer : 552 ~

[학술지(정기간행물)] - E. F. Schibert et al / 1986. / The Delta-doped Field Effect Transistors : 625 ~

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