지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 239 - 242 (4page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
InP Gunn diode is widely used in the W-band frequency of 75-110 GHz as VCOs(Voltage Controlled Ocillators) because of its higher RF power as compared to that obtainable using GaAs substrate. In this paper, we explored the reverse current characteristics of a fabricated InP Gunn diode with a current limiting structure. Lower current and higher breakdown voltage are achieved with variable Schottky barrier formed at the interface region between n-type InP active layer and cathode contact. We verified contact formations, work function variations, and breakdown effect of the InP Gunn diode through modeling.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. InP 건 다이오드 제작 및 측정
Ⅲ. 전류 전압 특성 연구 결과 및 토론
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
Waveguide VCO using GaAs Gunn diode for FMCW radar at 94 ㎓
Jin-Ho Kim
,
Dong-Sik Ko
,
Yong-Hyun Baek
외 6명
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2010
.06
W-band 대역의 InP Gunn diode 개발
이상진
,
최석규
,
한민
외 10명
대한전자공학회 학술대회
2012
.06
항복전압 향상을 위해 As+ 이온을 주입한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기
,
임지용
,
최영환
외 3명
대한전기학회 학술대회 논문집
2009
.07
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2015-560-001003070