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김민기 (서울대학교) 임지용 (서울대학교) 김영실 (서울대학교) 석오균 (서울대학교) 한민구 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회
발행연도
2010.7
수록면
1,341 - 1,342 (2page)

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We have proposed and fabricated AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) employing the surface passivation of the oxidized Nikel. The breakdown voltage and the leakage current of the AlGaN/GaN HEMT was improved due to the Ni/AlGaN alloied oxidation. The breakdown volt ... 전체 초록 보기

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