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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 751 - 755 (5page)
이용수
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We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AlGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3.5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.
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J.Lim / 2007 / Increase of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN HEMTs by Employing As+ IonImplantation on SiO₂Passivation Layer / Solid State Devices and Materials : 168 ~
J.Lim / 2008 / 1.4 kV AlGaN/GaN HEMTs employing As+ ion implantation on SiO2 passivation layer / IEEE Power Electronics Specialists Conference(PESC) : 88 ~
M.-W. Ha / 2007 / SiO2 passivation effects on the leakage current in AlGaN/GaN/ high-electron-mobility transistors employing additional schottky gate / Jpn. J. Appl. Phys. 46
M.-W.Ha / 2006 / An improved junction termination design employing shallow trenches and field limiting rings for power devices / Jpn. J. Appl. Phys 45 (2A) : 626 ~
M.N.Yoder / 1996 / Wide bandgap semiconductor materials and devices / IEEE Trans. Electron Devices 43 (10) : 1633 ~
J.Lim / 2008 / 1.4 kV AlGaN/GaN HEMTs employing As+ ion implantation on SiO2 passivation layer / IEEE Power Electronics Specialists Conference(PESC) : 88 ~
M.-W. Ha / 2007 / SiO2 passivation effects on the leakage current in AlGaN/GaN/ high-electron-mobility transistors employing additional schottky gate / Jpn. J. Appl. Phys. 46
M.-W.Ha / 2006 / An improved junction termination design employing shallow trenches and field limiting rings for power devices / Jpn. J. Appl. Phys 45 (2A) : 626 ~
M.N.Yoder / 1996 / Wide bandgap semiconductor materials and devices / IEEE Trans. Electron Devices 43 (10) : 1633 ~
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