메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제24권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
266 - 270 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
Cr을 이용하여 AlGaN/GaN 쇼트키접촉을 구현하였다. TFE 방법과 2DEG 방법에 의하여 얻어진 SBH는 각각 1.98 eV와 2.08 eV이었으며, 이는 Polarization- free AlGaN 구조에서 얻어진 0.9 eV보다 높은 값을 나타내었다. XPS 분석을 통하여, 높은 SBH 형성원인이 AlGaN/GaN 구조에서 AlGaN 전자표면밀도의 감소, 계면에서 Cr-O 화학결합형성 및 표면 Fermi level의 발런스 밴드 방향으로의 이동에 의한 것임을 알 수 있다. 본 연구결과는 고성능 전자소자 구현에 있어 고품질 Schottky gate개발에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.
#Schottky contact #AlGaN-GaN interface #Schottky barrier height

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (15)

참고문헌 신청
A. J. Sierakowski / 2000 / / J. Appl. Phys 87 : 334 ~ google schola C. M. Jeon / 2003 / / Appl. Phys. Lett 82 : 4301 ~ google schola D. Bruuner / 1997 / / J. Appl. Phys 82 : 5090 ~ google schola E. J. Miller / 2000 / / J. Appl. Phys 88 : 5951 ~ google schola E. T. Yu / 1997 / / Appl. Phys. Lett 71 : 2794 ~ google schola

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0