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높은 전류밀도를 갖는 AlGaN/GaN 전력소자는 소자 동작 시에 발생하는 자체발열 현상으로 인해 소자의 전류-전압특성이 저하된다. 특히 열전도도가 낮은 Si 기판을 사용할 경우 더욱 심각한 문제를 발생시킨다. 본 논문에서는 Si기판에 성장한 AlGaN/GaN-on-Si 웨이퍼를 사용하여 전력소자를 제작하였으며, 채널 폭과 Si기판의 두께에 따른 자체 발열 현상을 측정과 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 그리고 이를 기반으로 다채널을 갖는 대면적 전력소자 설계에서 최대전류를 얻기 위하여 열방출을 효과적으로 할 수 있는 구조를 제안하였다. 비아홀과 공통전극을 사용하고 Si 기판을 100 μm로 얇게 하였을 때 래핑을 하지 않은 소자 대비 약 75%의 온 상태 전류증가와 68% 이상의 채널온도 감소가 기대된다.
목차
요약
Abstract
I. 서론
II. AlGaN/GaN-on-Si 전력소자 제작 및 채널온도 예측
III. AlGaN/GaN-on-Si 전력소자의 구조에 따른 채널온도 변화
IV. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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H. Jain / 2008 / Comparision of wide band gap semiconductors for power electronics applications / Proc. of International Conference of Recent Advances in Microwave Theory and Applications :878~881
H. Xing / 2004 / High breakdown voltage AlGaN-GaN HEMTs achieved by multiple field plates / IEEE Electron Dev. Lett 25(4):161~163
J.-G. Lee / 2012 / State-of-the-Art AlGaN/GaN-on-Si HFETs with dual field plates / Appl. Phys. Express 5(6):066502
W. Saito / 2003 / 600 V AlGaN/GaN power-HEMT : Design, fabrication and demonstration on high voltage DC-DC converter / IEDM Tech. Dig. :587~590
T. Morita / 2011 / 99.3% efficiency of three-phase inverter for motor drive using GaN-based gate injection transistors / Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 26th Annual IEEE :481~484
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W. Saito / 2003 / 600 V AlGaN/GaN power-HEMT : Design, fabrication and demonstration on high voltage DC-DC converter / IEDM Tech. Dig. :587~590
T. Morita / 2011 / 99.3% efficiency of three-phase inverter for motor drive using GaN-based gate injection transistors / Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 26th Annual IEEE :481~484
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