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석오균 (서울대학교) 최영환 (서울대학교) 임지용 (서울대학교) 김영실 (서울대학교) 김민기 (서울대학교) 한민구 (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2009 대한전기학회 전기물성.응용부문회 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집
발행연도
2009.11
수록면
135 - 136 (2page)

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본 논문에서는 항복전압 향상을 위해 Al 필드 플레이트와 ICP-CVD SiO₂를 이용한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드를 제작하였다. ICP-CVD는 유도코일방식을 이용하여 고밀도의 SiO₂ Passivation을 증착할 수 있다. 이것은 AlGaN/GaN 기반의 소자에서 높은 항복전압을 갖게 한다. 하지만, AlGaN/GaN 기반의 소자에서의 일반적인 필드 플레이트 구조인 Ni/Au를 사용할 경우 SiO₂ passivation층과 필드 플레이트의 Ni ... 전체 초록 보기

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