열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  노정현 ,  최홍구 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .07

차세대 전력 스위치용 1.5 ㎸급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우

전기학회논문지

2012 .11

CF₄ Plasma Treatment를 이용한 고전압 GaN 쇼트키 배리어 다이오드의 개발

유지현 ,  윤창주 ,  장태훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석

황대원 ,  하민우 ,  노정현 외 2명

전자공학회논문지-SD

2011 .02

GaN 소자의 Schottky 특성 향상에 관한 연구

이복형 ,  홍주연 ,  이문교 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

Si 기판 위 제작된 1.5 kV급 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  우현석 ,  노정현 외 6명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .05

GaN 쇼키 다이오드의 액티브 구조 위의 본딩패드 기법을 이용한 어레이 소자 연구

장우영 ,  고상춘 ,  박영락 외 10명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .07

차세대 고전력 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드

장해녕 ,  정재덕 ,  장정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .07

GaN 쇼키 장벽 다이오드 (SBD) 어레이 구조의 전력소자로서의 특성 연구

장우영 ,  고상춘 ,  박영락 외 7명

대한전기학회 학술대회 논문집

2013 .04

이상적 GaN Schottkv 다이오드의 순방향 I-V 특성연구

정삼원 ,  신무환

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구

안병목 ,  정원채

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구 ( A Study of 1-5 Characteristics in Schottky Diode )

안병목 ,  정원채

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

TiO₂와 GaN를 이용한 Schottky diode의 제작 및 특성평가

유경호 ,  강광선 ,  김재환

대한기계학회 춘추학술대회

2009 .11

GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작 ( Fabrication of a Schottky Type Ultraviolet Photodetector Using GaN Layer )

성익중 ,  이석헌 ,  이채향 외 3명

전자공학회논문지-D

1999 .06

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 AIGaN/GaN heterostructure 웨이퍼 위에 제작한 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 억제

임지용 ,  이승철 ,  하민우 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .11

Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor

Gao ,  Cun-Xu ,  Yu 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

2005 .01

GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구

강이구 ,  강호철 ,  이정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

Guard Ring을 가진 Trench 쇼트키 다이오드

문진우 ,  정상구 ,  최연익

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

Electrochemical Metallization방법을 이용한 GaN Schottky Diode의 제작과 전기적 특성 향상 및 분석

이철호 ,  Dejun Fu ,  이명재 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

RuO₂/GaN 쇼트키 다이오드 형 자외선 수광소자 ( A Schottky Type Ultraviolet Photo-detector using RuO₂/GaN Contact )

신상훈 ,  정병권 ,  배성범 외 3명

전자공학회논문지-SD

2001 .10