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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 159 - 162 (4page)
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In this paper, energy distribution function in SiH₄ has been analysed over the E/N range 0.5~300Td and Pressure value 0.5, 1.0. 2.5 Torr by a two-term approximation Boltzmann equation method and by a Monte Carlo simulation.
The motion has been calculated to give swarm parameters for the electron drift velocity, diffusion coefficient. electron ionization, mean energy and the electron energy distribution function. The electron energy distribution function has been analysed in SiH₄ at E/N = 30, 50Td for a case of the equilibrium region in the mean electron energy and respective set of electron collision cross sections.
The results show that the deduced electron drift velocities, the electron ionization or attachment coefficients, longitudinal and transverse diffusion coefficients and mean energy agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values.
The motion has been calculated to give swarm parameters for the electron drift velocity, diffusion coefficient. electron ionization, mean energy and the electron energy distribution function. The electron energy distribution function has been analysed in SiH₄ at E/N = 30, 50Td for a case of the equilibrium region in the mean electron energy and respective set of electron collision cross sections.
The results show that the deduced electron drift velocities, the electron ionization or attachment coefficients, longitudinal and transverse diffusion coefficients and mean energy agree reasonably well with theoretical for a rang of E/N values.
목차
Abstract
1. 서론
2. 해석 방법
3. 전자충돌 단면적
4. 결과 및 고찰
5. 결론
[참고문헌]
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