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한국조명·전기설비학회 조명·전기설비 조명·전기설비학회지 제10권 제6호
발행연도
1996.12
수록면
96 - 103 (8page)

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본 논문은 저자들에 의해 결정된 전자충돌단면적을 사용하여 몬테칼로 시뮬레이션 볼쯔만 방정식법에 의해 E/N : 150~800[Td] 범위에서 계산된 SF? 가스의 전자수송 특성과 TOF법에서 구한 전자군 파라미터 값들을 나타냈다. 전자이동 속도 전자전력 또는 부착계수, 종?횡방향 확신계수 등의 전자군 파라미터 값들은 E/N 범위에서 실험치와 이론치가 일치하였다. 전자사태의 특성은 전자에너지의 비평형영역에서 고려되었다. 전자에너지 분포함수는 평균에너지의 평형영역에 대하여 E/N:500~800[Td]에서 해석하였다. 그 결과 타당성은 TOF법에 의해 입증되었다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. MCS-BE법
3. 시뮬레이션
4. 전자의 산란방향 결정
5. 전자의 충돌단면적
6. 시뮬레이션 결과 및 고찰
7. 결론
참고문헌
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-565-015543258