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적외선 탐지용 $Hg_{1-x}Cd_{x}Te$의 성장과 특성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
p - Hg 0.7 Cd 0.3 Te 에 낮은 저항의 접촉을 얻는 방법에 대한 연구 ( Low - Resistance Ohmic Contacts to p - Hg 0.7 Cd 0.3 Te )
전자공학회논문지-A
1994 .10
Molecular Beam Epitaxy법으로 성장된 Hg0.8 Cd 00.2 Te박막에 대한 수소화 효과
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
LPE 법으로 성장된 Hg0.8 Cd0.2 Te / Cd0.94 Zn0.06 Te / Cd0.97 Zn0.03 Te 구조의 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
열처리에 의한 Hg0.8Cd0.2Te 적외선 감지소자의 성능향상 ( Improvement of Hg0.8Cd0.2Te IR photovoltaic sensor characteristics by thermal annealing )
한국통신학회 기타 간행물
1995 .01
열처리에 의한 Hg0.8Cd0.2Te 적외선 감지소자의 성능향상 ( Improvement of Hg0.8Cd0.2Te IR photovoltaic sensor characteristics by thermal annealing )
대한전자공학회 기타 간행물
1995 .01
Hg0.7Cd0.3Te 1 × 128 선형다소자 제작 및 열영상 system 구현
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
Hg Cd Te Photovoltaic 대형 적외선 감지 소자의 제작 ( The Fabrication of the Large-Area Hg Cd Te Photovoltaic Infrared Detector )
대한전자공학회 학술대회
1992 .01
MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅱ. MOVPE공정 및 특징
한국표면공학회지
1990 .06
MOVPE 단결정층 성장법 Ⅳ. MOVPE 및 ALE 반응경로
한국표면공학회지
1991 .03
선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Laser Diode by Selective MOVPE )
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP / Inp Laser Diode by Selective MOVPE )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1998 .01
MOVPE법으로 GaN위에 성장시킨 A1InN 박막의 광학적 특성
한국재료학회지
2002 .01
Cd0.96Zn0.04Te 박막의 전기 광학적 특성
한국표면공학회지
1998 .12
고주파여기 MOVPE법으로 성장한 사파이어 기판위의 InN단 결정의 특성
한국재료학회 학술발표대회
1996 .01
Bi$_{2}Te_{3}$와 $Sb_{2}Te_{3}$ 박막제조와 물성연구
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
Te을 기본으로 한 박막에서의 열화에 관한 연구 ( Degradation of the Te-based Thin Films )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
Te를 기본으로 한 박막에서의 열화에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1987 .07
( 100 ) GaAs 기판의 방위 이탈각이 MOVPE 방법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Hg 분위기 열처리에 따른 적외선 감지용 Hg0.7Cd0.3Te 박막의구조적 특성 변화
센서학회지
2010 .01
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