선택적 MOVPE 성장을 이용한 레이저 다이오드의 제작 ( Fabrication of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Laser Diode by Selective MOVPE )

서준호 ,  권용환 ,  정원국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MOVPE 단결정층 성장법 : Ⅱ. MOVPE공정 및 특징

정원국

한국표면공학회지

1990 .06

MOVPE 단결정층 성장법 Ⅳ. MOVPE 및 ALE 반응경로

정원국

한국표면공학회지

1991 .03

MOVPE법으로 GaN위에 성장시킨 A1InN 박막의 광학적 특성

신동원 ,  김성익 ,  허증수

한국재료학회지

2002 .01

1.3μm Spot-Size Converter Integrated Laser Diodes Simply Fabricated by Narrow-Stripe Selective MOVPE

H. Yamazaki ,  K. Kudo ,  T. Sasaki 외 1명

OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE

1997 .01

MOVPE를 이용한 980㎚ 양자우물구조 고출력 레이저 제작

이중기 ,  장동훈 ,  조호성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

저압 유기금속 기상화학증착법에 의한 1.3μm InGaAsP / InP UNCOOLED - LD 의 제작 ( Fabrication of 1.3 μm InGaAsP / InP Uncooled - LD Using Low Pressure MOVPE )

조호성 ,  김정수 ,  이중기 외 6명

전자공학회논문지-A

1995 .06

MOVPE를 이용한 980nm 양자우물구조 고출력 레이저 제작 ( Fabrications of 98nm High Power Quantum Well LAser Diodes Using Metal Organic VApor Phase Epitaxy )

이중기 ,  장동훈 ,  조호성 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

1.55μm 파장의 InGaAsP / InP DH 레이저의 제작 ( Fabrication of 1.55μm Wavelength InGaAsP / InP Double Heterostructure Laser )

김홍구 ,  심종인 ,  오광룡 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

고주파여기 MOVPE법으로 성장한 사파이어 기판위의 InN단 결정의 특성

권혁주 ,  이용현

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

V-Groove가 형성된 High Miller Index GaAs 기판 위의 MOVPE 에피 성장 연구

김무성 ,  김용 ,  이민석 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

광통신 모듈용 분포 귀환형 InGaAsP/InP 레이저 다이오드 제작 및 소자 특성평가

전경남 ,  김근주

반도체디스플레이기술학회지

2011 .01

1.3μm InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain 에 대한 의존성 조사 ( The Influence of Strain on the Characteristic Temperature of 1.3 InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1998 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 레이저 다이오드의 온도 특성의 Strain에 대한 의존성 조사 ( The Influence of strain on the Characteristic Temperature of 1.3㎛ InGaAsP / InGaAsP Laser Structure )

이정석 ,  지정근 ,  계용찬 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

균일한 조성 . 두께를 갖는 Hg0.8 Cd0.2 Te 박막결정의 MOVPE 성장

서상희 ,  문성욱 ,  송종형 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

적색 반도체 레이저를 위한 GaInP / AlGaInP Heterostructure의 MOVPE성장 ( MOVPE Growth of GaInP / AlGaInP Heterostructure for Red Diode Laser )

오명석 ,  김남헌 ,  이창호 외 2명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1993 .01

1.3 ㎛ InGaAsP / InP 양자우물 구조 레이저 다이오드의 고온동작 특성 ( High Temperature Operation of 1.3㎛ InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

1.3 InGaAsP / InP 양자우물구조 레이저 다이오드의 고온동작특성 ( High Temperature Operation of 1.3 InGaAsP Strained Multi-Quantum Well Laser Diode )

양민 ,  김종석 ,  조인성 외 6명

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

적색 반도체 레이저를 위한 GaInP / AlGaInP Heterostructure의 MOVPE성장 ( MOVPE Growth of GaInP / AlGaInP Heterostructure ofr Red Diode Laser )

오명석 ,  김남헌 ,  이창호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

MOVPE 성장방법으로 corrugated InP 기판위에 성장된 InGaAs/InGaAsP 다층박막의 구조연구

남산 ,  장동훈 ,  서경수 외 1명

한국재료학회지

1996 .01