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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.1
- 수록면
- 95 - 96 (2page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
1994
고주파 플리즈마 응용 lonized Source Beam Epitaxy에 의한 GaN의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Beam Epitaxy )
유명철
,
김태일
,
K. Kim
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
고주파 플라즈마 응용 Ionized Source Beam Epitaxy 의한 Gan의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Ionized Source Beam Epitaxy )
유명철
,
김태일
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1994.01
학술대회자료
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대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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고주파 플라즈마 응용 Ionized Source Beam Epitaxy 의한 Gan의 Epi 성장 ( Epitaxial Growth of GaN on Si ( 100 ) / Sapphire ( 0001 ) Using RF Plasma Assisted Ionized Source Beam Epitaxy )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1994 .01
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