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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제4호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 148 - 152 (5page)
이용수
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The direct lateral profile and retention characteristics of locally trapped-charges in the nitride layer of the two-bit polysilicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory are investigated by using the charge pumping method. After charges injection at the drain junction region, the lateral diffusion of trapped charges as a function of retention time is directly shown by the results of the local threshold voltage and the trapped-charges quantities.
목차
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/ 1993. / A new charge pumping method for determining the spatial distribution of hot-carrier-induced fixed charge in p-MOSFETs 40 (10) : 1768 ~
/ 1998. / Analysis of enhanced hot-carrier effects in scaled flash memory devices 45 (7) : 512 ~
/ 2002 / High density and low voltage programmable scaled SONOS nonvolatile memory for the byte and flash-erased type EEPROM 41 (6) : 945 ~
/ 2002. / Metal nanocrystal memoriespart II 49 (9) : 1614 ~
/ 2002. / Retention reliability enhanced SONOS NVSM with scaled programming voltage 5 : 2383 ~
/ 1998. / Analysis of enhanced hot-carrier effects in scaled flash memory devices 45 (7) : 512 ~
/ 2002 / High density and low voltage programmable scaled SONOS nonvolatile memory for the byte and flash-erased type EEPROM 41 (6) : 945 ~
/ 2002. / Metal nanocrystal memoriespart II 49 (9) : 1614 ~
/ 2002. / Retention reliability enhanced SONOS NVSM with scaled programming voltage 5 : 2383 ~
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