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한국전자통신학회 한국전자통신학회 논문지 한국전자통신학회 논문지 제11권 제5호
발행연도
2016.1
수록면
473 - 478 (6page)

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본 논문은 RTP법으로 산화막을 질화시킨 질화산화막으로 MIS 캐패시터를 제작하여 avalanche 주입에 따른 캐리어 트랩 특성을 조사하였다. avalanche 주입에 의한 flatband 전압 변화는 두 번의 turn-around가 관찰되었는데 이는 처음 산화막에서 전자 트래핑이 있어나고, 전하 주입에 따라 홀 트래핑에 의한 turn-around 후 다시 전자 트래핑이 일어나는 것을 관찰하였다. 질화 산화막의 캐리어 트랩 파라미터를 결정하기 위하여 실험 결과를 기초로 종류가 다른 여러 트랩을 갖는 계에 대한 캐리어 트래핑을 비교한 결과 실험값과 일치함을 확인하였다.
#산화막 #질화 #트랩 #주입 #Oxide films #Nitridation #Trap #Injection

목차

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T. Ito / 1982 / Effect of Thermally Nitrided SiO2(Nitroxide)on MOS Characteristics / J. Electrochem. Soc 129(1):184~188 google schola Y. Hayafuji / 1982 / Nitridation of Silicon and Oxidized-Silicon / J. Electrochem. Soc 129(9):2102~2108 google schola 문성열 / 2014 / A Study on the DC parameter matching according to the shrink of 0.13㎛ technology / 한국전자통신학회 논문지 9(11):1227~1232 dbpia 문성열 / 2014 / A study on the Hot Carrier Injection Improvement of I/O Transistor / 한국전자통신학회 논문지 9(8):847~852 dbpia 문성열 / 2014 / A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation / 한국전자통신학회 논문지 9(7):747~752 dbpia

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