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Seunghyun Kim (Seoul National University) Dae Woong Kwon (Seoul National University) Sang-Ho Lee (Seoul National University) Sang-Ku Park (Seoul National University) Youngmin Kim (Gachon University) Hyungmin Kim (Novachips) Young Goan Kim (Novachips) Seongjae Cho (Gachon University) Byung-Gook Park (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
발행연도
2017.4
수록면
167 - 173 (7page)

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In this paper, the characterization of the vertical position of trapped charges in the charge-trap flash (CTF) memory is performed in the novel CTF memory cell with gate-all-around structure using technology computer-aided design (TCAD) simulation. In the CTF memories, injected charges are not stored in the conductive poly-crystalline silicon layer in the trapping layer such as silicon nitride. Thus, a reliable technique for exactly locating the trapped charges is required for making up an accurate macro-models for CTF memory cells. When a programming operation is performed initially, the injected charges are trapped near the interface between tunneling oxide and trapping nitride layers. However, as the program voltage gets higher and a larger threshold voltage shift is resulted, additional charges are trapped near the blocking oxide interface. Intrinsic properties of nitride including trap density and effective capture cross-sectional area substantially affect the position of charge centroid. By exactly locating the charge centroid from the charge distribution in programmed cells under various operation conditions, the relation between charge centroid and program operation condition is closely investigated.
#Charge-trap flash memory #TCAD #macro modeling #silicon nitride #charge centroid,charge distribution

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION AND EXPERIMENTS
III. RESULTS AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
D.-H. Kim, S. Cho, D. H. Li, J.-G. Yun, J. H. Lee, G. S. Lee, Y. Kim, W. B. Shim, S. H. Park, W. Kim, H. Shin, and B.-G. Park, “Program/erase model of nitride-based NAND-type charge trap flash memories,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 49, no. 8R, 084301, Aug. 2010. J. Fujiki, T. Haimoto, N. Yasuda, and M. Koyama, “Dynamics of the charge centroid in metal-oxidenitride- oxide-silicon memory cells during avalanche injection and Fowler-Nordheim injection based on incremental-step-pulse programming,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, no. 4S, 04DD06, Apr. 2011. A. Padovani, L. Larcher, V. D. Marca, P. Pavan, H. Park, and G. Bersuker, “Charge trapping in alumina and its impact on the operation of metal-aluminanitride- oxide-silicon memories: Experiments and simulations,” J. Appl. Phys., vol. 110, no. 1, 014505, 2011. A. Padovani, L. Larcher, and P. Pavan, “Compact modeling of TANOS program/erase operations for SPICE-like circuit simulations,” Microelectron. J., vol. 44, no. 1, pp. 50?57, Jan. 2013. E. Vianello, F. Driussi, A. Arreghini, P. Palestri, D. Esseni, L. Selmi, N. Akil, M. J. van Duuren, and D. S. Golubovic, “Experimental and Simulation Analysis of program/retention transients in silicon nitride-based NVM cells,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 56, pp. 1980?1990, Sep. 2009.

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