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학술대회자료
저자정보
함일식 (한국교통대학교) 정영석 (한국교통대학교) 김윤 (서울시립대학교) 강명곤 (한국교통대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2019년도 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집
발행연도
2019.6
수록면
201 - 205 (5page)

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본 논문에서는 3D NAND flash memory 의 단수에 따른 Natural local self-boosting (NLSB) 에 대해 비교하여 분석하였다. 2D NAND flash memory 와 다르게 3D NAND flash memory 에서는 차단된 채널이 Body 에 직접적으로 연결되어 있지 않기 때문에 채널이 Floating 상태가 될 수 있다. 채널의 Floating 으로 인해서 Local boosting 을 적용하지 않더라도 자연스럽게 Local booting 이 발생되고, 이러한 현상을 NLSB 라고 한다. 3D NAND flash memory 의 단수가 16 단, 32 단, 48 단인 경우를 비교했으며, 추가적으로 Cell Pattern 의 변화를 준 경우도 분석하였다. 단수를 제외한 모든 조건과 전압은 동일하게 진행하였고, 단수 별로 NLSB effect 와 특성을 비교하며 분석을 진행하였다.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. NLSB effect according to the 3D stack layer
Ⅲ. Comparison of the Two PATTERNs
Ⅳ. Conclusion
References

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