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전력전자학회 전력전자학회논문지 전력전자학회 논문지 제3권 제3호
발행연도
1998.9
수록면
222 - 230 (9page)

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본 논문에서는 스너버 회로를 사용하지 않고 턴-온시 역회복 전류의 영향과 턴-오프 시 구동되는 IGBT에 발생하는 과전압을 제한할 수 있는 새로운 IGBT 게이트 구동회로를 제안한다 제안하는 턴-온 게이트 구동기법은 턴-온 지연 시간을 전혀 증가시키지 않고 게이트-에미터 전압이 문턱전압 이상이 되면 IGBT의 입력 커패시턴스를 증가시킴으로써 게이트-에미터 전압의 증가율을 감소시키는 특징을 갖는다 제안하는 턴-오프 게이트 구동기법은 전류의 크기에 따라 과전압을 제한하여 단락사고와 같은 대전류가 흐르는 경우 더욱 효과적으로 과전압을 제한하는 특징을 가진다 또한, 여러 가지 조건에서 실험을 수행하여 제안한 IGBT 게이트 구동회로의 타당성을 검증한다

목차

요약

ABSTRACT

1.서론

2.스위칭 특성 고찰

3.제안하는 IGBT 게이트 구동회로

4.실험 및 고찰

5.결론

참고문헌

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