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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제39권 제3호
발행연도
2006.6
수록면
137 - 141 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2006

Mechanism of infinite Si₃N₄/ArF PR etch selectivity during CH₂F₂/H₂/Ar dual frequency capacitively coupled plasma etching of Si3N4 layers
박창기 ,  김희대 ,  이춘희 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.08 학술대회자료
Dual-frequency CH₂F₂/H₂/Ar capacitively coupled plasma를 이용한 실리콘질화물과 ArF PR의 무한 선택비 식각 공정
박창기 ,  이춘희 ,  김희대 외 1명 한국표면공학회지 2006.06 학술저널
Dual-frequency CH₂F₂/H₂/Ar capacitively coupled plasma에서 실리콘 나이트라이드와 ArF PR의 무한대 에치 선택비
박창기 ,  이춘희 ,  김희대 외 2명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2006.04 학술대회자료

초록· 키워드

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Process window for infinite etch selectivity of silicon nitride (Si₃N₄) layers to ArF photoresist (PR) was investigated in dual frequency superimposed capacitive coupled plasma (DFS-CCP) by varying the process parameters such as low frequency power (P<SUB>LF</SUB>), CH₂F₂ and H2 f low rate in CH₂F₂/H₂/Ar plasma. It was found that infinite etch selectivities of Si₃N₄ layers to the ArF PR on both blanket and patterned wafers can be obtained for certain gas flow conditions. The etch selectivity was increased to the infinite values as the CH₂F₂ flow rate increases, while it was decreased from the infinite etch selectivity as the H₂ flow rate increased. The preferential chemical reaction of the hydrogen with the carbon in the polymer film and the nitrogen on the Si₃N₄ surface leading to the formation of HCN etch by-products results in a thinner steady-state polymer and, in turn, to continuous Si₃N₄ etching, due to enhanced SiF₄ formation, while the polymer was deposited on the ArF photoresist surface.
#Etch #Nitride #CCP #ArF PR #Dual frequency

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1990 / Practical Surface Analysis : 135 ~ google schola

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