Dual-frequency CH₂F₂/H₂/Ar capacitively coupled plasma를 이용한 실리콘질화물과 ArF PR의 무한 선택비 식각 공정

박창기 ,  이춘희 ,  김희대 외 1명

한국표면공학회지

2006 .06

Comparison of Etching Characteristics of ArF and EUV Resists in Dual-frequency Superimposed Capacitively Coupled Plasmas

Bong Soo Kwon ,  Jin Sung Kim ,  Young Rok Pa 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

Etching characteristics of ArF and EUV resists in dual-frequency superimposed capacitively coupled CF₄/O₂/Ar and CF₄/CHF₃/O₂/Ar plasmas

권봉수 ,  김진성 ,  박영록 외 7명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2009 .05

Latest Trend in Capacitively Coupled Discharges in Plasma Processing

Jong W. Shon

한국표면공학회 Workshop

2004 .11

저 유전 재료의 에칭 공정을 위한 H₂/N₂ 가스를 이용한 Capacitively Coupled Plasma 시뮬레이션

孫采化

전기학회논문지 C

2006 .12

Effects of CH₂F₂ and H₂ flow rates on process window for infinite etch selectivity of silicon nitride to PVD a-C in dual-frequency capacitively coupled plasmas

김진성 ,  권봉수 ,  박영록 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2009 .05

ArF PR Slimming 개선에 관한 연구

최신규 ,  김영민 ,  정호형 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2011 .06

Characteristics of Ultra Water-repellent Films Prepared by Capacitively-coupled Plasma CVD

No ,  ifumi Shimazu ,  Naoki Namba 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

유체 시뮬레이션을 이용한 유도결합 Ar/CH₄ 플라즈마의 특성 분석

차주홍 ,  이호준

전기학회논문지

2016 .08

Numerical investigation of rf pulsing effect on ion energy distributions in capacitively coupled plasma sources

Deuk-Chul Kwon ,  Sang-Young Jung ,  Jung-Sik Yoon

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Etching Characteristics and Mechanism of Low Temperature Deposited Silicon Nitride Film Using Inductively Coupled CH₂F₂/O₂/Ar Plasma

Jinyoung Son ,  Junmyung Lee ,  Inwoo Chun 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Controllable Etching of 2-Dimentional Hexagonal Boron Nitride by Using Oxygen Capacitively Coupled Plasma

Deshun Qu ,  Won Jong Yoo

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .05

Characteristics of RF pulsed bais etching on multi-layer resist (MLR) structure using 27.12 MHz/2 MHz dual-frequency capacitively coupled plasmas

Hea-Lim Lee ,  Ka Youn Kim ,  Nae-Eung Lee

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Inductively Coupled Plasma Etching of AZO and ZnO in CI2/CH4/H2/Ar and BCI₃/CH4/H2/Ar Chemistries

Hack Joo Lee ,  Bong Soo Kwon ,  Young Rok Pa 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

Dry Etching Characteristics of TiN Thin Films in BCl_(3-) Based Plasma

Jong-Chang Woo ,  Jung-Soo Pa ,  k 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2011 .01

Plasma Properties of Dual-Frequency Inductively Coupled Plasma Source

이승민 ,  김경남 ,  김태형 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2014 .05

Simulation Study of Capacitively Coupled Oxygen Plasma with Plasma Chemistry including Detailed Electron Impact Reactions

김헌창

공업화학

2011 .01

평판 유도 결합형 CH₄/H₂/Ar 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각에서 공정 변수가 저항성 접촉 형성에 미치는 영향

金文永 ,  太興植 ,  李昈駿 외 3명

전기학회논문지 C

2000 .08

평판 유도 결합형 CH₄/H₂/Ar 플라즈마를 이용한 GaN 건식 식각 특성

金文永 ,  白榮植 ,  太興植 외 3명

전기학회논문지 C

1999 .09

이중 주파수 전원의 용량성 결합 플라즈마 식각장비에서 전극하전에 의한 입사이온 에너지분포 변화연구

최명선 ,  장윤창 ,  이석환 외 1명

반도체디스플레이기술학회지

2014 .01