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대한기계학회 대한기계학회 논문집 B권 대한기계학회논문집 B권 제32권 제2호
발행연도
2008.2
수록면
149 - 157 (9page)

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During CVD process of semiconductor wafer fabrication, maintaining the uniformity of temperature distribution at wafer top surface is one of the key factors affecting the quality of final products. Effect of contact conductance between wafer and hot plate on predicted temperature of wafer was investigated. The validity of opaque wafer assumption was also examined by comparing the predicted results with Discrete Ordinate solutions accounting for semitransparent radiative characteristics of silicon. As the contact conductance increases predicted wafer temperature increases and the differences between maximum and minimum temperatures within wafer and between wafer and hot plate top surface temperatures decrease. The opaque assumption always overpredicted the wafer temperature compared to semitransparent calculation. The influences of surrounding reactor inner wall temperature and hot plate configuration are then discussed.
#Heat Transfer(열전달) #Hot Plate(가열판) #Wafer Processing(웨이퍼공정) #Discrete Ordinate Method(구분종좌법) #Semitransparent Radiation(반투명복사)

목차

Abstract
1. 서론
2. 수치해석
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
Lee, J. M. , 2003 , Handbook Semiconductor Technology , Hanrimwon google schola 박용환 , 2003 , 초정밀 가열판의 온도 균질화를 위한 새로운 설계방법 , 대한기계학회논문집 B 27 (11) : 1525 ~ 1533 google schola Kim, I. K , 1998 , Thermal Anlysis of the Wafers in LPCVD Process , Journal of the KSME(B) 22 (5) : 651 ~ 660 google schola Modest, M. F. , 1993 , Radiative Heat Transfer , McGraw-Hill google schola Merkwitz, M , 2001 , A Quasi Diffusive Reflective Method for the Calculation of Radiative Heat Transfer in Semitransparent Media between Parallel Planes with Angle Dependent Reflection Behavior , Heat and Mass Transfer 37 (2-3) : 283 ~ 291 google schola

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