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In this study, 6” GaAs wafer bonding system is designed and optimized to bond 6 inches device wafer and material wafer. Bonding process is performed in vacuum environment and resin is used to bond two wafers. Vacuum module and double heating mechanisms are adopted to minimize wafer warpage and void. Structure and heat transfer analysis, et al of the core modules review the designed mechanisms are very effective in performance improvement. As a result, high productivity (tack time cut-down) and stabilized process can be obtained by reducing breakage failure of wafer.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. GaAs Wafer 본딩시스템 개발
3. 핵심모듈의 해석 및 최적화
4. 성능시험 및 분석
5. 결론
참고문헌

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