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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정종완 (전북대학교 기계설계공학부) 임익태 (세종대학교 나노신소재공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제16권 제3호
발행연도
2017.1
수록면
1 - 7 (7page)

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Multi-wafer planetary type chemical vapor deposition reactors are widely used in thin film growth and suitable for large scale production because of the high degree of growth rate uniformity and process reproducibility. In this study, a two-dimensional model for estimating the effect of the gap between satellite and wafer on the wafer surface temperature distribution is developed and analyzed using computational fluid dynamics technique. The simulation results are compared with the results obtained from an analytical method. The simulation results show that a drop in the temperature is noticed in the center of the wafer, the temperature difference between the center and wafer edges is about $5{\sim}7^{\circ}C$ for all different ranges of the gap, and the temperature of the wafer surface decreases when the size of the gap increases. The simulation results show a good agreement with the analytical ones which is based on one-dimensional heat conduction model.
#Planetary reactor #Chemical vapor deposition #Silicon wafer #Heat conduction #Susceptor

목차

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참고문헌 (15)

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K. Fujino / 1990 / Journal of The Electrochemical Society 137(9):2883 google schola S. M. Fisher / 1993 / Solid state technology 36(9):55 google schola J. Regolini / 1989 / Applied Physics Letters 54(7):658 google schola T. Hsieh / 1991 / Journal of the Electrochemical Society 138(4):1188 google schola T. Sedgwick / 1989 / Applied Physics Letters 54(26):2689 google schola

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