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이용수
ABSTRACT
1. 서론
2. 고정입자패드
3. 텅스텐 CMP 평탄화 특성 비교
4. 결론
참고문헌
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Self-Conditioning을 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP
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Dishing and Erosion Evaluations of Tungsten CMP Slurry inthe Orbital Polishing Syste
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
친수성 고분자를 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP
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Dependence of Dishing on Fluid Pressure during Chemical Mechanical Polishing
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Dishing and Erosion in Chemical Mechanical Polishing of Electroplated Copper
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2002 .10
구리 표면 세정에서 디싱에 따른 영향
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2017 .05
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2006 .10
Effect of slurries on the dishing of Shallow Trench Isolation structure during CMP process
한국트라이볼로지학회 학술대회
2002 .10
계면활성제 함량 조절을 통한 구리 하이브리드 구조물의 화학 기계적 평탄화
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2012 .01
알루미나 고정입자패드를 이용한 텅스텐 CMP 특성 평가
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2002 .10
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2003 .11
고정입자 패드를 이용한 텅스텐 CMP에 관한 연구
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2001 .12
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전기전자재료학회논문지
2005 .01
패키지 기판에서 CMP 공정에 의해 발생하는 구리 패턴의 Edge-Over-Erosion
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2018 .05
미세 표면 구조물을 갖는 패드의 제작 및 STI CMP 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2008 .01
STI-CMP공정에서 표면특성에 미치는 패턴구조 및 슬러리 종류의 효과
한국트라이볼로지학회 학술대회
2002 .05
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