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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
163 - 166 (4page)

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The dishing and the erosion were evaluated on the tungsten CMP process with conventional and new developed slurry. The tungsten thin film was polished by orbital polishing equipment. Commercial pattern wafer was used for the evaluation. Both slurries were pre tested on the oxide region on the wafer surface and the removal rate was not different very much. At the pattern density examination, the erosion performance was increased at all processing condition due to the reduction of thickness loss in new slurry. However, the dishing thickness was not remarkably changed at high pattern density despite of the improvement at low pattern density. At the large pad area, the reduction of dishing thickness was clearly found at new tungsten slurry.
#Tungsten CMP #Dishing #Erosion #Tungsten slurry #Orbital polishing

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참고문헌 (8)

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/ 1991. / Chemical mechanical polishing for fabrication W metal features as chip interconnects 138 : 3460 ~ google schola / 1996. / Electrochemistry of chemical vapor deposited tungsten films with relevance to chemical mechanical polishing 143 (12) : 4095 ~ google schola / 1997. / Electrochemical measurements during the chemical mechanical polishing of tungsten thin films 144 : 3041 ~ google schola / 1997. / Tungsten polishing on an orbital plaform using cabot semi-sperse W2000 slurry : 31 ~ google schola / 1998. / Effect of slurry viscosity modification on oxide and tungsten CMP 214 (1) : 10 ~ google schola

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