지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.3
- 수록면
- 10 - 14 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
InP의 전자와 정공의 이온화계수로부터 추출한 유효이온화계수를 이용하여 InP 다이오드의 항복전압을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 항복전압 결과를 N<SUB>D</SUB>=6×10¹⁴㎝?³~3× 10¹?㎝?³의 도핑 농도에서 수치적 결과 및 실험 결과와 비교하였다. 각 농도에 따른 해석적 항복전압은 수치 해석적 결과와 매우 잘 일치하였고, 실험 결과와는 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. InP 다이오드의 해석적 항복 전압
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 1977. / Velocity-field characteristics of quaternary alloy 30 : 242 ~ 244
2. [학술지(정기간행물)] - / 1991. / 0.33-㎛ gate-length millimeter-wave InP-channel HEMT's with high and 12 : 483 ~ 485
3. [학술지(정기간행물)] - / 1988. / P-AlInAs/InP junction FET's by selective molecular beam epitaxy 9 : 601 ~ 603
4. [학술지(정기간행물)] - / 1980. / Ionization coefficients measured in abrupt InP junctions : 302 ~ 303
5. [학술지(정기간행물)] - / 1979. / Ionization coefficients of electrons and holes in InP : 333 ~ 335
2. [학술지(정기간행물)] - / 1991. / 0.33-㎛ gate-length millimeter-wave InP-channel HEMT's with high and 12 : 483 ~ 485
3. [학술지(정기간행물)] - / 1988. / P-AlInAs/InP junction FET's by selective molecular beam epitaxy 9 : 601 ~ 603
4. [학술지(정기간행물)] - / 1980. / Ionization coefficients measured in abrupt InP junctions : 302 ~ 303
5. [학술지(정기간행물)] - / 1979. / Ionization coefficients of electrons and holes in InP : 333 ~ 335
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Ⅲ-Ⅴ족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델
전자공학회논문지-SD
2004 .09
-
실리콘 전력 MOSFET의 온도 관련 항복 전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현
전자공학회논문지-SD
2003 .05
-
전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압
전자공학회논문지-SD
2005 .10
-
Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성
한국재료학회지
1998 .01
-
10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계
한국정보통신학회논문지
2017 .06
-
Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes
전자공학회논문지-SD
2008 .06
-
4H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압
전자공학회논문지-SD
2002 .01
-
6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현
전자공학회논문지-SD
2009 .06
-
소자파라미터에 따른 DGMOSFET의 항복전압분석
한국정보통신학회논문지
2013 .02
-
Gated Diode의 항복전압에 관한 해석적 표현
전기학회논문지 C
2000 .05
-
InP 식각정지층을 갖는 MHEMT 소자의 InGaAs/InP 복합 채널 항복 특성 시뮬레이션
반도체디스플레이기술학회지
2013 .01
-
P+ -In0.53Ga0.47As/InP의 저항성 접촉 특성
대한전자공학회 학술대회
1995 .06
-
InP 건 다이오드의 역전류 특성
대한전자공학회 학술대회
2013 .11
-
이차원 전위분포모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 항복전압 분석
한국정보통신학회논문지
2013 .05
-
이중게이트 MOSFET의 채널구조에 따른 항복전압 변화
한국정보통신학회논문지
2013 .03
-
온도를 고려한 GaAs p+n 접합의 해석적 항복 전압
전기학회논문지 C
1999 .04
-
DGMOSFET의 전도중심과 항복전압의 관계
한국정보통신학회논문지
2013 .04
-
InP 식각정지층을 갖는 InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성 시뮬레이션에 관한 연구
반도체디스플레이기술학회지
2012 .01
-
InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
-
InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )
특정연구 결과 발표회 논문집
1988 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-016556902