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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.3
- 수록면
- 672 - 677 (6page)
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본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널크기 변화에 따른 항복전압의 변화를 분석하였다. 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 매우 작은 값을 갖는 항복전압은 정확한 분석이 요구되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 항복전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터 및 가우시안분포함수의 모양에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전위모델 및 항복조건
Ⅲ. 항복전압에 대한 결과고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
2. [학술지(정기간행물)] - A. J. Garcia / 2011 / Implementation of the Density Gradient Quantum Correction for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors / IEEE Trans. CAD of IC and Systems 30 (6) : 841 ~ 851
3. [학술지(정기간행물)] - D. S. Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
4. [학술지(정기간행물)] - P. K. Thakur / 2011 / Large-Signal Model for Independent DG MOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 58 (1) : 46 ~ 52
5. [학술대회논문] - P. K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
2. [학술지(정기간행물)] - A. J. Garcia / 2011 / Implementation of the Density Gradient Quantum Correction for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors / IEEE Trans. CAD of IC and Systems 30 (6) : 841 ~ 851
3. [학술지(정기간행물)] - D. S. Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4) : 737 ~ 741
4. [학술지(정기간행물)] - P. K. Thakur / 2011 / Large-Signal Model for Independent DG MOSFET / IEEE Trans. Electron Devices 58 (1) : 46 ~ 52
5. [학술대회논문] - P. K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
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