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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 53 - 57 (5page)
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This paper is for accurately simulating the breakdown of MHEMTs with an InP-etchstop layer. 2D-Hydrodynamic simulation parameters are investigated and calibrated for the InP-epitaxy layer. With these calibrated parameters, simulations are performed and analyzed for the breakdown of devices with an InP-etchstop layer. In the paper, the impact-ionization coefficients, the mobility degradation due to doping concentration, and the saturation velocity for InP-epitaxy layer are newly calibrated for more accurate breakdown simulation.
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참고문헌 (7)
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김성찬 / 2006 / 70 nm MHEMT와 DAML 기술을 이용한우수한 성능의 94 GHz 단일 평형 혼합기 / 전자공학회논문지 - SD 43(4):8~15
Seong-Jin Yeon / 2007 / 610 GHz InAlAs/In0.75GaAs Metamorphic HEMT with an Ultra-Short 15-nm-Gate / Proc. of IEDM 2007 :613~616
손명식 / 2011 / InAlAs/InGaAs/GaAs 100nm-게이트 MHEMT 소자의 에피 구조 최적화 설계에 관한 연구 / 반도체디스플레이기술학회지 10(4):107~112
ISE-DESSIS manual, Ver. 9.5 :12~288
Gaudenzio Meneghesso / 1999 / On-state and Off-state Breakdown in GaInAs/InP Composite-Channel HEMT’s with Variable GaInAs Channel Thickness / IEEE Trans. On Electron Devices 46(1):2~9
Seong-Jin Yeon / 2007 / 610 GHz InAlAs/In0.75GaAs Metamorphic HEMT with an Ultra-Short 15-nm-Gate / Proc. of IEDM 2007 :613~616
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ISE-DESSIS manual, Ver. 9.5 :12~288
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