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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 22 - 27 (6page)
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4H-SiC의 전자와 정공의 이온화계수 α 와 β로부터 유효이온화계수 γ를 추출함으로써 4H-SiC 쇼트키 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 모델을 유도하였다. 해석적 모델로부터 구한 항복전압을 실험 결과와 비교하였고, 도핑 농도 함수의 온-저항도 이미 발표된 결과와 비교하였다. 항복전압은 10<SUP>15</SUP>～10<SUP>18</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다. 온-저항을 위한 해석적 결과는 3×10<SUP>15</SUP>～2×10<SUP>16</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>의 범위에서 실험 결과와 매우 잘 일치하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Modeling for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance
Ⅲ. Conclusion
Reference
저자소개
참고문헌 (22)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. Ruff / 1994 / SiC device: Physics and numerical simulation / IEEE Trans. on Electron Devices 41 (6) : 1040 ~ 1054
2. [학술지(정기간행물)] - W. J. Schaffer / 1994 / Conductivity anisotropy in epitaxial 6H and 4H SiC / Mater. Res. Soc. Symp. Proc 339 : 595 ~
3. [학술대회논문] - J. W. Palmour / 1994 / High temperature power devices in silicon carbide / Trans. 2nd High Temp. Elec. Conf., Charlotte, NC, 1994 : XI-3 ~
4. [학술지(정기간행물)] - A. Itoh / 1994 / High-quality 4H-SiC homoepitaxial layers grown by step-controlled epitaxy / Appl. Phys. Lett 65 : 1400 ~ 1402
5. [학술지(정기간행물)] - R. Raghunathan / 1995 / High voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes / IEEE Electron Device Letters 16 : 226 ~ 227
2. [학술지(정기간행물)] - W. J. Schaffer / 1994 / Conductivity anisotropy in epitaxial 6H and 4H SiC / Mater. Res. Soc. Symp. Proc 339 : 595 ~
3. [학술대회논문] - J. W. Palmour / 1994 / High temperature power devices in silicon carbide / Trans. 2nd High Temp. Elec. Conf., Charlotte, NC, 1994 : XI-3 ~
4. [학술지(정기간행물)] - A. Itoh / 1994 / High-quality 4H-SiC homoepitaxial layers grown by step-controlled epitaxy / Appl. Phys. Lett 65 : 1400 ~ 1402
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