InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델

정용성

전자공학회논문지-IE

2007 .03

4H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압

정용성

전자공학회논문지-SD

2002 .01

온도를 고려한 GaAs p⁺n 접합의 해석적 항복 전압

鄭龍成

전기학회논문지 C

1999 .04

전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압

정용성

전자공학회논문지-SD

2005 .10

6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현

정용성

전자공학회논문지-SD

2009 .06

구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고

김해미 ,  윤준호 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2008 .10

〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )

정용성

대한전자공학회 세미나

1996 .01

전력 반도체 소자에 적용되는 원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식과 민감도

尹俊皓 ,  金海美 ,  徐賢錫 외 2명

전기학회논문지

2008 .12

SOI PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 관한 연구 ( On the Breakdown Voltage and Optimum Drift Region Length of Silicon - On - Insulator PN Diodes )

한승엽 ,  신진철 ,  최연익 외 1명

전자공학회논문지-A

1994 .12

실리콘 전력 MOSFET의 온도 관련 항복 전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현

정용성

전자공학회논문지-SD

2003 .05

RESURF PN 다이오드의 항복전압과 최적 수평길이에 대한 해석적인 표현 ( Analytical Expression for the Breakdown Voltage and Optimum Lateral Dimension of the RESURF PN Diodes )

신진철 ,  라경만 ,  최연익 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

소자파라미터에 따른 DGMOSFET의 항복전압분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .02

마스크 오정렬 및 결정 결함이 PN 접합 아이솔레이션의 항복 특성에 미치는 영향 ( Effects of Mask Misalignment and Crystal Defects on the Breakdown Characteristics in the PN Junction Isolation )

조경익 ,  백문철 ,  송성해

전자공학회지

1984 .03

이중게이트 MOSFET의 채널구조에 따른 항복전압 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .03

Si p⁺n 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링

정용성

전자공학회논문지-SD

2004 .01

Gated Diode의 항복전압에 관한 해석적 표현

尹相福 ,  崔然益

전기학회논문지 C

2000 .05

원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식 과 민감도

윤준호 ,  김해미 ,  최연익 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2008 .10

전력용 반도체 소자의 설계 제작에 있어서 Fixed oxide charge가 p+/n 접합의 항복전압에 미치는 영향

이철환 ,  성만영 ,  최연익 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1988 .11

Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes

정용성

전자공학회논문지-SD

2008 .06

원통형 PN접합의 항복전압의 농도에 대한 민감도

서현석 ,  조중열 ,  안희태 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .10