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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.6
- 수록면
- 1 - 5 (5page)
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6H-SiC 전자 및 정공의 이온화계수로부터 유효이온화계수를 추출하여 6H-SiC PN 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 모형으로부터 구한 항복전압을 10<SUP>15</SUP>～10<SUP>18</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>의 도핑 농도 범위에서 실험 결과와 비교하여 10% 이내의 오차로 일치하였고, 농도 함수의 온-저항의 해석적 결과도 5×10<SUP>15</SUP>～10<SUP>16</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>의 범위에서 이미 발표된 수치적 결과와 매우 잘 일치하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Theoretical Result and Discussion
Ⅲ. Conclusion
References
저자소개
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. Bhatnagar / 1993 / Comparison of 6H-SiC,3C-SiC,and Si for Power Devices / IEEE Trans, on Electron Devices 40 : 645 ~ 655
2. [학술지(정기간행물)] - R. J. Trew / 1991 / The Potential of Diamond and SiC Electronic Devices for Microwave and Millimeter-Wave Power Applications / Proc. of The IEEE 79 : 598 ~ 620
3. [학술대회논문] - J. W. Palmour / 1994 / / in Trans. 2nd Int. High Temp. Elec. Conf. 1, XI_3
4. [학술지(정기간행물)] - T.Ohno / 1999 / Recent Progress in SiC-Based Device Processing / Electron. and Communications in Japan, Part 2 82 : 48 ~ 54
5. [학술지(정기간행물)] - L. G. Matus / 1991 / High-voltage 6H-SiC p-n junction diodes / Appl. Phys. Lett. 59 (14) : 1770 ~ 1772
2. [학술지(정기간행물)] - R. J. Trew / 1991 / The Potential of Diamond and SiC Electronic Devices for Microwave and Millimeter-Wave Power Applications / Proc. of The IEEE 79 : 598 ~ 620
3. [학술대회논문] - J. W. Palmour / 1994 / / in Trans. 2nd Int. High Temp. Elec. Conf. 1, XI_3
4. [학술지(정기간행물)] - T.Ohno / 1999 / Recent Progress in SiC-Based Device Processing / Electron. and Communications in Japan, Part 2 82 : 48 ~ 54
5. [학술지(정기간행물)] - L. G. Matus / 1991 / High-voltage 6H-SiC p-n junction diodes / Appl. Phys. Lett. 59 (14) : 1770 ~ 1772
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