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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.5
- 수록면
- 6 - 13 (8page)
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전자와 정공의 온도 관련 이온화 계수로부터 추출한 온도 함수의 유효 이온화 계수 및 전자 이동도를 이용하여 실리콘 전력 MOSFET의 항복 전압과 on 저항을 위한 온도 함수의 해석적 표현식을 유도하였다. 온도 함수의 해석적 항복 전압 결과를 4×10^(14)cm^(-3), 1×10^(15)cm^(-3), 6×10^(16)cm^(-3)의 도핑 농도에 대해 각각 실험 결과와 비교하였고, 온도 및 항복 전압 함수의 on 저항 변화도 각각 실험 결과와 비교하였다. 각 농도에 따른 온도 함수의 해석적 항복 전압은 77~300K의 온도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전력 MOSFET 소자 동작
Ⅲ. 해석적 항복 전압 및 ON 저항
Ⅳ. 결론
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