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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.2
- 수록면
- 372 - 377 (6page)
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DGMOSFET의 항복전압에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 분석학적 해 및 Fulop의 항복전압 조건을 사용하였다. DGMOSFET는 게이트단자의 전류제어능력 향상으로 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 단채널에서 나타나는 항복전압의 감소는 피할 수 없으므로 이에 대한 연구가 필요하다. 포아송방정식을 풀 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 이중게이트 MOSFET의 소자크기에 따라 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압을 분석할 것이다. DGMOSFET의 항복전압을 관찰한 결과, 채널길이가 감소할수록 그리고 도핑농도가 증가할수록 항복전압이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 게이트산화막 두께 및 채널두께에 따라서 항복전압의 변화가 관찰되었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전위분포와 항복전압
Ⅲ. DGMOSFET의 항복전압 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - M.Schwarz / 2011 / 2D Analytical Framework for Compact Modeling of the Electrostatics in Undoped DG MOSFETs / 18th International conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems : 405 ~ 410
2. [학술대회논문] - H.Mohammad / 2011 / A New Analytical Model for Lateral Breakdown Voltage of Double-gate Power MOSFETs / IEEE-RSM2011 : 92 ~ 95
3. [학술지(정기간행물)] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - W.Fulop / 1967 / Calculation of Avalanche Breakdown Voltages of Silicon p-n Junctions / Solid-State Electronics 10 : 39 ~ 43
5. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4)
2. [학술대회논문] - H.Mohammad / 2011 / A New Analytical Model for Lateral Breakdown Voltage of Double-gate Power MOSFETs / IEEE-RSM2011 : 92 ~ 95
3. [학술지(정기간행물)] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - W.Fulop / 1967 / Calculation of Avalanche Breakdown Voltages of Silicon p-n Junctions / Solid-State Electronics 10 : 39 ~ 43
5. [학술지(정기간행물)] - D.S.Havaldar / 2006 / Subthreshold Current Model of FinFETs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation / IEEE Trans. Electron Devices 53 (4)
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