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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
297 - 302 (6page)

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Chemical mechanical polishing(CMP) performances can be optimized by several process parameters such as equipment and consumables (pad, backing film and slurry). Pad properties are important in determining removal rate and planarization ability of a CMP process. It is investigated the performance of oxide CMP process using commercial silica slurry after the pad conditioning temperature was varied. Conditioning process with the high temperature made the slurry be unrestricted to flow and be hold, which made the removal rate of oxide film increase. The pad became softer and flexible as the conditioning temperature increases. Then the softer pad provided the better surface planarity of oxide film without defect.
#CMP #chemical mechanical polishing) #Oxide film #Pad conditioning #Conditioning temperature

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참고문헌 (18)

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/ 1993. / Metallization Theory and Practice for VLSI and ULSI : 100 ~ google schola / 1995. / Manufac- turability of the CMP process 270 : 612 ~ google schola / 1995. / The effect of the polishing pad treatments on the chemical mechanical polishing of SiO2 films 270 : 601 ~ google schola / 1997. / Chemical Mechanical Planari- zation of Microelectronic Materials : 87 ~ google schola / 1997. / Chemical Mechanical Planariza- tion of Microelectronic Materials : 45 ~ google schola

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