전력 반도체 소자에 적용되는 원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식과 민감도

尹俊皓; 金海美; 徐賢錫; 曺重烈; 崔然益

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자료유형: 학술저널

저자정보: 尹俊皓 (아주대학교) 金海美 (아주대학교) 徐賢錫曺重烈崔然益 (아주대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제57권 제12호

발행연도: 2008.12

수록면: 2,234 - 2,237 (4page)

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Approximate equations for cylindrical breakdown voltages of planar pn junctions are proposed and verified. The equations show good agreement with the Baliga's results for r<SUB>j</SUB>/Wpp?0.3 and with numerical results for r<SUB>j</SUB>/Wpp?0.3 within 1% error. Sensitivity of the breakdown voltage with respect to the doping concentrations is successfully derived using the approximate equations. The sensitivity formula can be utilized in the area of tolerance design of power semiconductor devices.

#Breakdown Voltage #Cylindrical PN Junction #Sensitivity #Junction Depth #Power Semiconductor Devices

참고문헌 (6)

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1. [단행본] - B. Jayant Baliga / 1996 / Power semiconductor devices / PWS Pub. Co

2. [학술지(정기간행물)] - W.Fulop / 1967 / Calculation of avalanche breakdown of silicon p-n junctions / Solid State Electron 10 : 39 ~ 43

3. [기타자료] - J. Roig et al. / / A 200V silicon-on-sapphire LDMOS structure with a step oxide extended field plate

4. [학술지(정기간행물)] - I.Cortes et al. / 2005 / A numerical study of field plate configurations in RF SOI LDMOS transistors / Solid State Electron 50 : 155 ~ 163

5. [학술지(정기간행물)] - I.Cortés et al. / 2008 / Super junction LDMOS on thick-SOI technology for RF applications / Microelectronics Journal 39 : 922 ~ 927

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