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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정용성 (서라벌대학)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第41卷 SD編 第1號
발행연도
2004.1
수록면
9 - 14 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (5)

2005

전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압
정용성 전자공학회논문지-SD 2005.10 학술저널

2004

Si p⁺n 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링
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2002

4H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압
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2001

6H-SiC P^(+)n 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 ( Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC p^(+)n Junction )
정용성 전자공학회논문지-SD 2001.06 학술저널

1996

〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )
정용성 대한전자공학회 세미나 1996.01 학술대회자료

초록· 키워드

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#Si p⁺n junction #temperature dependence #effective ionization coefficient #analytical expressions #breakdown voltage #doping concentrations

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - W. Fulop / 1967. / Calculation of Avalanche Breakdown of Silicon p-n Junctions 10 : 39 ~ 43 google schola [학술지(정기간행물)] - S. L. Miller / 1957. / Ionization Rates for Holes and Electrons in Silicon : 1246 ~ 1249 google schola [학술지(정기간행물)] - Y. Okuto / 1975. / Threshold Energy Effect on Avalanche Breakdown Voltage in Semiconductor Junction 18 : 161 ~ 168 google schola [학술지(정기간행물)] - H. Kressel / 1966. / The Effective Rate for Hot Carriers in GaAs 20 (6) : 535 ~ 543 google schola [학술지(정기간행물)] - T. H. Moon / pp.187-1881994. / Calculation of Avalanche Breakdown Voltage of the InP p+n Junction 37 google schola

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