Fabrication and Characterization of 0.2um T-shaped gate AlGaAs / InGaAs P-HEMTs

배창민 ,  서은성 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델

오영해 ,  서정하

전자공학회논문지-SD

2007 .05

Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

윤형섭 ,  이진희 ,  이경호

[ETRI] 전자통신동향분석

2000 .12

Studies on the Fabrication and Characteristic Analysis of 0.35um T-Gate Power PM-HEMTs

정철환 ,  김성수 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Fabrication and Characterization of 0.2μm InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT’s with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate

Dae-Hyun Kim ,  Sung-Won Kim ,  Seong-Chul Hong 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06

Metal Insulator Gate Geometric HEMT: Novel Attributes and Design Consideration for High Speed Analog Applications

Ritesh Gupta ,  Ravneet Kau ,  Sandeep K 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2010 .03

InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor에서 InGaAs 선택 에칭 공정에 관한 연구

장호원 ,  이종람 ,  박해성

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성원 ,  설경선 ,  김경운 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Optimization of InAlAs/InGaAs HEMT Performance for Microwave Frequency Applications and Reliability

Ritesh Gupta ,  Sandeep Kuma ,  Agga 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2004 .09

Beyond-CMOS: Impact of Side-Recess Spacing on the Logic Performance of 50 ㎚ In_0.7Ga_0.3As HEMTs

Dae-Hyun Kim ,  Jesús A. del Alamo ,  Jae-Hak Lee 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .09

Photoresponse of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT on GaAs substrate with Composite Channel

Chang-Soon Choi ,  Hyo-Soon Kang ,  Woo-Young Choi 외 5명

한국통신학회 기타 간행물

2002 .10

P-HEMT Gate-바이어스 튜닝에 의한 위상동기 마이크로파 발진기 특성분석

정인기 ,  민상보 ,  이영철

대한전자공학회 학술대회

2000 .11

Noise Characteristics of Sub-Micron Gate GaAs MESFET's and AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's and the Influence of the Gate Leakage Current on Their Performance

S. J. Cho ,  S. K. Oh ,  J. H. Jung 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic )

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Rf-enhanced InGaAs/InAlAs Uni-traveling-carrier Photodetector

In Gyoo Kim ,  Gyungock Kim ,  Ki Joong Lee

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

InGaAs / InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석 ( Analysis of Surface Reflection All-Optical Switches using InGaAs / InAlAs Multiple Quantum Wells )

최용호 ,  김경환 ,  최우영

전자공학회논문지-SD

2000 .09

p 형 InGaAs - InAlAs 결합양자우물을 이용한 흡수계수스펙트럼의 broadening ( Broadening of Absorption Spectrum in a p - type InGaAs - InAlAs Coupled Quantum Well )

김경환 ,  김성준

전자공학회논문지-D

1997 .03

InP 식각정지층을 갖는 InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 전압 개선에 관한 연구

손명식

반도체디스플레이기술학회지

2013 .01