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이용수
Abstract
I. INTRODUCTION
II. MATERIALS AND PROCESSING
III. DC AND RF CHARACTERISTICS
IV. CONCLUSION
REFERENCES
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Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향
[ETRI] 전자통신동향분석
2000 .12
Photoresponse of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT on GaAs substrate with Composite Channel
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT
대한전자공학회 학술대회
2006 .06
2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델
전자공학회논문지-SD
2007 .05
InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor에서 InGaAs 선택 에칭 공정에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1999 .01
높은 fmax 를 갖는 InGaAs/InAlAs MHEMT 의 Pad 설계
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
Growth and Characterization of I$n_y$A$l_{1-y}$AS/I$n_x$G$a_{1-x}$As by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
Rf-enhanced InGaAs/InAlAs Uni-traveling-carrier Photodetector
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
Electrical Characteristics of InAlAs/InGaAs/InAlAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors under Sub-Bandgap Photonic Excitation
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2003 .09
InGaAs / InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석 ( Analysis of Surface Reflection All-Optical Switches using InGaAs / InAlAs Multiple Quantum Wells )
전자공학회논문지-SD
2000 .09
InAlAs/InGaAs/InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
p 형 InGaAs - InAlAs 결합양자우물을 이용한 흡수계수스펙트럼의 broadening ( Broadening of Absorption Spectrum in a p - type InGaAs - InAlAs Coupled Quantum Well )
전자공학회논문지-D
1997 .03
InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
InAlAs / InGaAs HBT 에서 에미터의 접합 조성경사가 전자의 비평형 고속전송에 미치는 영향 ( Effect of Emitter Junction Grading on Electron Nonequilibrium Transport in InAlAs / InGaAs HBT )
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
단일양자 우물구조로 된 InGaAs/InAlAs의 밴드간 공명 터널링 다이오드에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
Ultra-high speed Internal RF-gain InGaAs/InAlAs Avalanche photodetector
한국통신학회 기타 간행물
2004 .11
35㎚ In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Metamorphic GaAs HEMT의 제작
대한전자공학회 학술대회
2006 .11
70 ㎚ T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
전자공학회논문지-SD
2004 .09
밀리미터파 응용을 위한 우수한 성능의 50 nm Metamorphic HEMTs
전기전자학회논문지
2012 .06
InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성에 관한 연구
전자공학회논문지-SD
2011 .11
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