InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic HEMT 구조의 오믹접촉 특성연구 ( A Study on Ohmic Contacts of InAlAs / InGaAs / InP Pseudomorphic )

윤형섭 ,  이진희 ,  박병선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

InAlAs/InGaAs/InP High Electron Mobility Transistor에서 InGaAs 선택 에칭 공정에 관한 연구

장호원 ,  이종람 ,  박해성

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Electrical Characteristics of InAlAs/InGaAs/InAlAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors under Sub-Bandgap Photonic Excitation

H.T. Kim ,  D. M. Kim

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .09

Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT 소자의 기술동향

윤형섭 ,  이진희 ,  이경호

[ETRI] 전자통신동향분석

2000 .12

2차원 Poisson방정식 풀이에 의한 단 채널 InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델

오영해 ,  서정하

전자공학회논문지-SD

2007 .05

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Fabrication and Characterization of 0.2μm InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT’s with Inverse Step-Graded InAlAs Buffer on GaAs Substrate

Dae-Hyun Kim ,  Sung-Won Kim ,  Seong-Chul Hong 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2001 .06

Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate )

윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

77 ㎓ Power Amplifier MMIC by 120㎚ InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMT

김성원 ,  설경선 ,  김경운 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .06

Wide Head T-Gate를 갖는 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자를 사용한 10Gbps 초고속 전치증폭기 설계 ( Design of 10Gps High speed Preamplifier Using AlGAAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT Device with Wide Head T-Gate )

양광진 ,  백정기 ,  홍창희 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11